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[고급 개발자/회로설계/12개월/화성시 병점구] 삼성전자 SSD 및 메모리 제품 회로설계, PCB설계
근무 지역경기도 화성시 병점구 경기 화성시 병점구 삼성1로 332-7
예상 기간12개월
마감 기한2026-10-16(D-15)
한눈에 보는 프로젝트 핵심 요약
- 원천 플랫폼
- 이랜서
- 예상 대금
- 금액 협의
- 근무 방식
- 정보 없음
- 공고 등록일
- 2026-09-29
요구 기술 스택
PCB
프로젝트 상세 본문
1. 프로젝트명 : [고급 개발자/회로설계/12개월/화성시 병점구] 삼성전자 SSD 및 메모리 제품 회로설계, PCB설계
2. 현재개발진행사항
1) 총투입인력 : 4 명
2) 현재설계개발상태 : 분석/설계단계
3. 담당역할 및 업무범위
메모리 제품 회로 설계, PCB 설계, 설계 검증
4. 전달사항또는(개발)우대사항
메모리/Controller/PMIC 벤더와의 기술 협업 — 데이터시트·컴플라이언스 가이드 기반 설계 검증
정보 요청(RFI) 대응, Reference Design 검토 및 자사 설계 반영
JEDEC 등 표준 스펙 준수 검토
검증 플랫폼 개발
Debug board, Validation Mezzanine, 양산 Compliance/Burn-in Fixture 설계
프로토타입 Bring-up 및 Lab 계측(Oscilloscope, Power Analyzer, VNA 등)을 통한 기능·성능 검증
사내 품질 프로세스(Golden Sample/Golden Tester, MSA/GR&R, ESD 관리)와 연계한 설계 검증
5. 필요인력: 1 명
6. 필요Spec
메모리 인터페이스 회로 설계
NAND/NOR Flash 메모리 컨트롤러 인터페이스 회로 설계 및 검증
플래시 메모리 특성을 고려한 신호 무결성/타이밍 설계
고속 신호 모듈 PCB 설계
PCIe Gen5/Gen6급 고속 신호를 고려한 PCB 스택업 설계(레이어 구성, 저손실 라미네이트 선정, 임피던스 제어)
NRZ/PAM4 신호 방식을 고려한 채널 설계 및 마진 확보
전원 아키텍처 설계
PMIC 선정 및 다중 rail 전원 시퀀싱 설계(Power-Good/Reset 로직 포함)
전류 제한(Current Limiter/eFuse) 및 보호 회로 설계, Inrush 제어
벤더 협업 및 컴플라이언스 대응
7. 근무지 : 경기 화성시 병점구(경기 화성시 병점구 삼성1로 332-7)
8. 프로젝트기간 : 즉시 ~ 12개월
9. 월단가 : 단가제시
10. 장비지참여부 : 장비제공
11. 기타 :
주차가능
담당역할:메모리 제품 회로 설계, PCB 설계, 설계 검증
필요기술:PCB
기타사항:주차가능