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[고급 개발자/회로설계/12개월/화성시 병점구] 삼성전자 SSD 및 메모리 제품 회로설계, PCB설계

근무 지역경기도 화성시 병점구 경기 화성시 병점구 삼성1로 332-7
예상 기간12개월
마감 기한2026-10-16(D-15)

한눈에 보는 프로젝트 핵심 요약

원천 플랫폼
이랜서
예상 대금
금액 협의
근무 방식
정보 없음
공고 등록일
2026-09-29

요구 기술 스택

PCB

프로젝트 상세 본문

1. 프로젝트명 : [고급 개발자/회로설계/12개월/화성시 병점구] 삼성전자 SSD 및 메모리 제품 회로설계, PCB설계 2. 현재개발진행사항 1) 총투입인력 : 4 명 2) 현재설계개발상태 : 분석/설계단계 3. 담당역할 및 업무범위 메모리 제품 회로 설계, PCB 설계, 설계 검증 4. 전달사항또는(개발)우대사항 메모리/Controller/PMIC 벤더와의 기술 협업 — 데이터시트·컴플라이언스 가이드 기반 설계 검증 정보 요청(RFI) 대응, Reference Design 검토 및 자사 설계 반영 JEDEC 등 표준 스펙 준수 검토 검증 플랫폼 개발 Debug board, Validation Mezzanine, 양산 Compliance/Burn-in Fixture 설계 프로토타입 Bring-up 및 Lab 계측(Oscilloscope, Power Analyzer, VNA 등)을 통한 기능·성능 검증 사내 품질 프로세스(Golden Sample/Golden Tester, MSA/GR&R, ESD 관리)와 연계한 설계 검증 5. 필요인력: 1 명 6. 필요Spec 메모리 인터페이스 회로 설계 NAND/NOR Flash 메모리 컨트롤러 인터페이스 회로 설계 및 검증 플래시 메모리 특성을 고려한 신호 무결성/타이밍 설계 고속 신호 모듈 PCB 설계 PCIe Gen5/Gen6급 고속 신호를 고려한 PCB 스택업 설계(레이어 구성, 저손실 라미네이트 선정, 임피던스 제어) NRZ/PAM4 신호 방식을 고려한 채널 설계 및 마진 확보 전원 아키텍처 설계 PMIC 선정 및 다중 rail 전원 시퀀싱 설계(Power-Good/Reset 로직 포함) 전류 제한(Current Limiter/eFuse) 및 보호 회로 설계, Inrush 제어 벤더 협업 및 컴플라이언스 대응 7. 근무지 : 경기 화성시 병점구(경기 화성시 병점구 삼성1로 332-7) 8. 프로젝트기간 : 즉시 ~ 12개월 9. 월단가 : 단가제시 10. 장비지참여부 : 장비제공 11. 기타 : 주차가능 담당역할:메모리 제품 회로 설계, PCB 설계, 설계 검증 필요기술:PCB 기타사항:주차가능
원천 플랫폼 및 상표권 안내

본 프로젝트 정보는 원천 플랫폼(이랜서)에서 수집된 공개 공고입니다. 위시켓, 이랜서, 프리모아, 원티드 긱스, OKKY 등의 상표권은 각 원천사에 있습니다.